IXTA4N80P
IXTP4N80P
6
Fig. 1. Extended Output Characteristics
@ 25oC
3.5
Fig. 2. Output Characteristics
@ 125oC
5
V GS = 10V
8V
3
V GS = 10V
7V
2.5
4
7V
3
2
6V
2
1.5
1
6V
1
0
0.5
0
5V
0
5
10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
25
30
3
V DS - Volts
Fig. 3. R DS(on) Normalized to I D = 2A Value
vs. Junction Temperature
2.6
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 2A Value
v s. Drain Current
2.8
V GS = 10V
2.4
V GS = 10V
T J = 125oC
2.6
2.4
2.2
2
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
I D = 3.6A
I D = 1.8A
1.8
1.6
1.4
1
0.8
0.6
0.4
1.2
1
0.8
T J = 25oC
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
6
4
3.5
3
T J - Degrees Centigrade
Fig. 5. Maximum Drain Current v s.
Case Temperature
4
3.5
3
I D - Amperes
Fig. 6. Input Admittance
2.5
2
1.5
1
0.5
0
2.5
2
1.5
1
0.5
0
T J = 125oC
25oC
-40oC
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
T C - Degrees Centigrade
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
V GS - Volts
相关PDF资料
IXTP50N085T MOSFET N-CH 85V 50A TO-220
IXTP50N20PM MOSFET N-CH 200V 20A TO-220
IXTP64N055T MOSFET N-CH 55V 64A TO-220
IXTP70N085T MOSFET N-CH 85V 70A TO-220
IXTP7N60PM MOSFET N-CH 600V 4A TO-220
IXTP7N60P MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
IXTP8N50PM MOSFET N-CH 500V 4A TO-220
IXTP8N50P MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
相关代理商/技术参数
IXTP4N90 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB
IXTP4N90A 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB
IXTP4N95 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB
IXTP4N95A 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB
IXTP4P45 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220
IXTP4P50 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220
IXTP50N085T 功能描述:MOSFET 50 Amps 85V 20.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP50N20P 功能描述:MOSFET 50 Amps 200V 0.06 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube